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第四十七章 新的目标

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    之后的几天,许秋又做了两批器件,一批是重复PEN基片的,另一批是在同样实验条件下玻璃基片的。

    PTB7-TH体系中,PEN基片的最高效率提高了一点点,达到了8.20%。

    而玻璃基片下的标准样品,最高效率可达10.26%。

    这个数值,相比于他之前在模拟实验室中得到的10.68%,稍差一些,可能是器件结构不同造成的。

    PEN基片不能高温热退火,所以用的是PEDOT:PSS传输层的正常结构,而之前使用的是氧化锌传输层的倒置结构。

    此外,虽然重点在于PTB7-TH体系,但是许秋也做了P3HT体系。

    主要是为了让文章数据更加丰满一些,同时也说明这种柔性衬底的加工方式具有普适性。

    再之后,许秋完成了各种表征测试,包括光吸收光谱、荧光光谱、CELIV测试等,还拍了一张用两只镊子弯曲PEN基片器件的照片。

    在实验进行的间隙,许秋也在同步以论文的形式,写项目的结题报告。

    这个时候,他前期阅读了大量的文献的优势就体现出来了,再加上他还可以随时向学姐请教。

    因此论文写起来压力并不大。

    正文部分,许秋先将四组器件编号,PEN基片的PTB7-TH、P3HT体系,分别为1#、3#,玻璃基片对应的体系分别为2#、4#。

    然后,主要就是比较玻璃和PEN这两种基片的不同,对器件性能的影响,并分析其可能的原因。

    像是光学性能,光吸收光谱和荧光光谱都是直接测有效层薄膜的,数据对两种基片的器件都是一样的。

    所以不需要比较,直接将得到的图片信息转化为文字就可以了。

    比如:1#、2#有效层共混薄膜的主要光吸收范围在550-750纳米,最高吸收峰位置在680纳米处,3#、4#的主要光吸收范围在300-600纳米,最高吸收峰位置在530纳米处。

    荧光光谱则相对复杂一些,两种体系都需要分别测试给体、受体单独组分薄膜和共混薄膜的荧光光谱,然后计算荧光淬灭效率。

    不过,同样是看图说话,也没什么难度。

    而像是CELIV,则是对电池器件进行表征,那么不同样品编号的器件测试的结果就会有所不同,就需要进行比较分析。

    许秋的测试结果:

    1#的载流子迁移率是1.2E-4厘米平方每伏秒,2#是2.5E-4厘米平方每伏秒,显然2#更高一些,但两者在同一数量级。

    因为2#对应的电池器件性能更好,就可以解释为,载流子迁移率的提高导致了器件性能的提高。

    进一步,还可以继续分析下去,比如迁移率的提高会减小电荷复合情况,增大短路电流密度等等。

    但如果反过来,假如他的测试结果为:

    2#是1.2E-4厘米平方每伏秒,1#是2.5E-4厘米平方每伏秒。

    那么就可以一笔带过,说两者载流子迁移率相差不大,在同一个数量级,或者说载流子迁移率对器件光电性能的影响不大。

    …………

    许秋最开始阅读文献的时候,就时常疑惑,对于同样的一个实验现象,为什么有的人说是XXX原因,有的人说是YYY原因,还有人说是XXYY原因,难道学术界里就没有一种统一的观点吗?

    后来,随着文献阅读量的提升,他逐渐明白了其中的道理。

    材料,或者说所有的实验学科,所有对实验结果的解释其实都是猜想,理论永远是落后于实验的。

    不可能凭空创造一个完美的理论模型,如果那样的话,直接开几台超算,算出最优结果就行了。

    真实情况是,研究者们需要通过不断的实验,得到大量的实验数据... -->>
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